台积电N3E工艺良率超预期,泄露PPT显示平均良率超过80%

综合 来源:IT之家   阅读量:19684    2022-08-24 15:05

TSMC已经确认将在9月量产3nm工艺,初始良品率优于5nm第一批3nm产能如果不出意外,会在苹果M2 Pro和英特尔之间平分,但初期产能不会太多

可是,最初的N3过程主要是针对具有超级投资能力和追求新技术的早期客户,如苹果,但它具有很强的局限性,如时间较晚和应用不足。

不过,继3nm之后,TJI明年将推出升级版N3E工艺,即3nm Ehanced的增强版,将进一步提升性能,降低功耗,扩大应用范围与N5相比,相同性能和密度下功耗会降低34%,相同功耗和密度下性能会提高18%,或者晶体管密度会提高60%

本站曾报道,商业时报的分析师认为,N3E技术将成为各大厂商的主要量产力量,包括苹果iPhone 15系列的A17处理器,下一代的M3处理器,以及未来AMD的Zen5。

据说M3可以用在MacBook Air等产品上,苹果有可能会增加这款机型的显示屏尺寸,通过更强的散热方案来提高散热效果其他潜在的产品包括更新的iPad Pro系列,更新的iMac,以及未来可能的iPad Air与M2和M1一样,M3将再次使用四个性能核心和四个效率核心

根据行业惯例,TSMC将在今年第一步测试N3E工艺的性能和试产良率,预计2023年下半年量产而《核心清单+》刚刚泄露了一份TSMC的内部PPT,显示其N3E工艺进展非常顺利,至少在良品率方面会有惊喜

PPT显示,TSMC新N3E工艺的良率超出预期,其中N3E的256Mb SRAM平均良率约为80%,移动设备和HPC芯片的良率约为80%,环形振荡器的良率甚至可以超过92%。

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