，赵一创新今日宣布推出1.2V超低功耗SPI NOR闪存产品——GD 25UF系列该系列在数据传输速度，电源电压，读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平在智能可穿戴设备，健康监测，物联网设备或其他单电池供电的应用中，它可以显著降低运行功耗，并有效延长设备的电池寿命

伴随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要具备更多的功能来满足消费者的需求这款对空间敏感的产品对系统功耗提出了更苛刻的要求，希望进一步提高产品的续航能力从系统设计方面来说，一些先进工艺设备的工作电压已经低至1.2V，如果所需的Flash能够支持1.2V的电压运行，对于主控来说，将有效简化电源设计，优化系统成本

针对这一需求，赵一创新推出了GD25UF产品系列，可扩展至1.14~1.6V工作电压，具有单通道，双通道，四通道，DTR四通道SPI模式，支持不同容量选择，可满足智能设备所需的代码存储需求。

在阅读和写作表现方面

GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz它具有10万次的擦写寿命，有效数据存储期可达20年

在安全方面

该产品拥有128位唯一ID，达到加密效果，为应用带来高安全性。

同时，为了进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了正常模式和低功耗模式两种工作模式正常模式下，器件的读取电流低至6mA频率为120MHz，四个通道，在低功耗模式下，器件的读取电流低至0.5mA，擦除电流低至7mA，睡眠功耗在四路1MHz的频率下低至0.1uA

与1.8V供电的SPI NOR Flash相比，1.2V GD25UF系列在相同电流下正常模式下功耗降低33%，而在低功耗模式下，相同频率下功耗降低70%，有效延长了设备的续航时间。

此外，GD25UF系列产品的电源电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池电源应用的使用寿命并且该系列产品支持SOP8，WSON8，USON8和WLCSP封装，全温度工作范围覆盖—40℃~85℃，—40℃~105℃和—40℃~125℃

目前赵一创新GD25UF系列可提供64Mb容量样片，更多容量产品将陆续推出。