三星电子预计将在下周宣布量产3纳米芯片，下一代3纳米芯片将基于Gate—All—Around技术三星表示，与现有的FinFET工艺相比，这项技术将使芯片面积减少45%，性能提高30%，功耗降低50%

今年5月，美国总统拜登在访问韩国期间参观了三星的平泽工厂，三星向其展示了该公司的3纳米芯片。

三星和TSMC在芯片制造领域保持着激烈的竞争全球最大的合同芯片制造商TSMC表示，将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片此前，三星表示其2nm工艺节点处于研发初期，计划在2025年实现量产